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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础乐高课程一年大概多少钱，乐高课一年多少钱多少节(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到(dào)限(xiàn)制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东乐高课程一年大概多少钱，乐高课一年多少钱多少节京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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